收藏本站
W971GG8JB
10.7 Capacitance
SYM.
C CK
C DCK
C I
C DI
C IO
C DIO
PARAMETER
Input Capacitance , CLK and CLK
Input Capacitance delta , CLK and CLK
input Capacitance, all other input-only pins
Input Capacitance delta, all other input-only pins
Input/output Capacitance, DQ, DM,
DQS, DQS ,RDQS, RDQS
Input/output Capacitance delta, DQ, DM,
DQS, DQS ,RDQS, RDQS
MIN.
1.0
?
1.0
?
2.5
?
MAX.
2.0
0.25
2.0
0.25
3.5
0.5
UNIT
pF
pF
pF
pF
pF
pF
10.8 Leakage and Output Buffer Characteristics
SYM.
PARAMETER
MIN.
MAX.
UNIT
NOTES
Input Leakage Current
I IL
( 0V
≤ V IN ≤ V DD )
-2
2
μA
1
Output Leakage Current
I OL
(Output disabled, 0V
≤ V OUT ≤ V DDQ )
-5
5
μA
2
V OH
V OL
Minimum Required Output Pull-up
Maximum Required Output Pull-down
V TT + 0.603
?
?
V TT - 0.603
V
V
V OTR
I OH(dc)
I OL(dc)
Output Timing Measurement Reference Level
Output Minimum Source DC Current
Output Minimum Sink DC Current
0.5 x VDDQ
-13.4
13.4
?
?
?
V
mA
mA
3
4, 6
5, 6
Notes:
1. All other pins not under test = 0 V.
2. DQ, DQS, DQS , RDQS, RDQS are disabled and ODT is turned off.
3. The V DDQ of the device under test is referenced.
4. V DDQ = 1.7 V; V OUT = 1.42 V. (V OUT - V DDQ )/I OH must be less than 21 Ω for values of V OUT between V DDQ and V DDQ -
0.28V.
5. V DDQ = 1.7 V; V OUT = 0.28V. V OUT /I OL must be less than 21 Ω for values of V OUT between 0 V and 0.28V.
6. The values of I OH(dc) and IOL(dc) are based on the conditions given in Notes 3 and 4. They are used to test drive current
capability to ensure V IH min plus a noise margin and V IL max minus a noise margin are delivered to an SSTL_18 receiver.
Publication Release Date: Jun. 15, 2012
- 39 -
Revision A02
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
W9725G6IB-25 IC DDR2-800 SDRAM 256MB 84-WBGA
W9725G6JB25I IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA
W9725G6KB-25I IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA
W972GG6JB-3I IC DDR2 SDRAM 2GBITS 84WBGA
W9751G6IB-25 IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA
W9751G6KB-25 IC DDR2 SDRAM 512MBIT 84WBGA
W9812G6JH-6I IC SDRAM 128MBIT 54TSOPII
W9816G6IH-6I IC SDRAM 16MBIT 50TSOPII
相关代理商/技术参数
W9725G6IB-25 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 256MB 84-WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR)
W9725G6JB 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:4M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM
W9725G6JB-25 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics 功能描述:512MB DDRII
W9725G6JB25I 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:150 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-VFDFN 裸露焊盘 供应商设备封装:8-DFN（2x3） 包装:管件 产品目录页面:1445 (CN2011-ZH PDF)
W9725G6KB-18 制造商:Winbond Electronics 功能描述:IC MEMORY 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY
W9725G6KB-25 功能描述:IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6
W9725G6KB-25 TR 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:256M DDR2-800, X16
W9725G6KB25A 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:DLL aligns DQ and DQS transitions with clock, Data masks (DM) for write data, Write Data Mask